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聚焦 | 英特尔侵犯中科院FinFET专利:被告了
旺材芯片 | 2020-08-04 21:51:40    阅读:380   发布文章

据国家知识产权局专利复审委员会消息,其审理了201110240931.5(“FinFET专利”)发明专利的无效申请。无效申请的请求人是Intel(中国)有限公司,而专利权人为中国科学院微电子研究所(下称“微电子所”)。


据悉,这是Intel为应对微电子所2018年发起的专利侵权诉讼而采取的措施。在此之前,英特尔已经先后5次在中美两地对涉案专利及其美国同族专利发起无效申请,均以失败告终。
之前,微电子所诉称,英特尔酷睿(Core)系列处理器侵犯了其名为“半导体器件结构及其制作方法、及半导体鳍制作方法”的FinFET专利,要求英特尔停止侵权,赔偿至少2亿元人民币,并承担诉讼费用,同时申请法院下达禁令。
涉案的FinFET专利是一项与FinFET工艺相关的发明专利,而微电子所在FinFET领域专利实力非常雄厚。国外专利咨询公司LexInnova在2015年进行的FinFET领域专利调查研究显示,中科院微电子所专利申请数量在该领域排名第11位,专利申请质量被评估为全球第一。
公开信息显示,微电子所专利数量和质量都非常可观。截至目前,微电子所围绕集成电路、高可靠器件与电路、物联网等领域已经提交中国专利申请5000余件,国外专利申请500余件,转让专利158件,达成专利许可1505件。同时,微电子所也不缺乏与国际性大企业进行“专利战”的经验。2017年5月,中科院就曾在深圳和广州对美国LED制造商CREE及其国内子公司发起专利侵权诉讼。


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