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关注 | 资本加速涌入SiC和GaN领域
旺材芯片 | 2021-02-06 22:53:31    阅读:444   发布文章

韩国贸易,工业和能源部(MOTIE)宣布计划增加对国内SiC和GaN业务的投资支持。此外,SK集团最近加强了对化合物半导体的投资。预计随着公司和政府投资的结合,SiC和GaN市场将加速增长。

 

碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)半导体市场将看到加速增长的趋势。2月1日,MOTIE宣布,它将加大对研发和基础设施扩展的支持,以从2021年起抢占全球SiC和GaN市场。

 

同时,国内公司也开始进行一系列相关投资。1月28日,SK集团向YEST的子公司Yes Power Technix投资了268亿。Yes Power Technix成立于2017年,研究和开发SiC器件,其100mm和150mm生产线的SiC晶圆年生产能力为14,000片/年。此外,SK Group的SK Siltron最近收购了杜邦的SiC晶圆业务。

 

由于带隙大于传统Si半导体的3倍,因此SiC和GaN半导体每单位面积可承受的电压是传统半导体的10倍。作为参考,GaN和SiC的带隙分别为3.4 eV和3.2 eV,远高于当前使用的Si的1.1 eV。

 

SiC / GaN技术的进步允许使用更小,更节能的芯片和更高的电流速率。展望未来,SiC的采用有望在DC-DC转换和车载充电,工业应用中的功率因数校正以及太阳能逆变器中加速应用。在与SiC有关的行业中,重点企业包括韩国的RFHIC,Metal Life,Silicon Works和YEST,以及海外的Cree,Veeco,意法半导体和Rohm。

 

GaN和SiC时代即将到来


预计到2029年,化合物功率半导体市场将增长五倍以上。对于5G设备,电动汽车和工业设施(包括太阳能设施)中的SiC和GaN等化合物半导体的使用需求正在急剧增加。 从2021年开始,化合物功率半导体市场将迅速增长。 包括SiC(4H-SIC)和GaN在内的下一代化合物功率半导体市场的增长现在已经开始。市场研究公司Yole预测,到2024年,SiC功率半导体市场将以29%的复合年增长率增长,达到20亿美元。相关的受益方应该包括美国的Cree,意法半导体和Veeco,以及韩国的RFHIC。 晶圆生产技术对于GaN和SiC半导体的生产至关重要。 化合物半导体已开始用于5G设备,工业设施,电动汽车和太阳能等行业。近来,GaN晶体管已被大量用于智能电话和笔记本电脑的充电适配器。此外,现代汽车集团在其最近宣布的E-GMP中采用了SiC半导体。 在化合物半导体的生产中,晶圆生产技术很重要。通过使用有机金属CVD(MOCVD)设备在衬底上生长GaN外延层来制造GaN半导体。SiC外延片是通过在多层晶圆上沉积几微米厚的SiC单晶层而制成的。SiC晶圆由Cree,Infineon和Rohm等许多公司生产。在韩国,收购了杜邦(Dupont)SiC晶圆部门的SKSiltron正在对该行业进行投资。SiC晶圆现在供不应求。 Cree计划到2024年将SiC产能提高30倍,并为其GaN业务投资10亿美元。ST Micro的SiC芯片组相关销售额在2019年达到2亿美元,目标是到2025年达到10亿美元。


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