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资讯 | 铠侠/西部数据162层3D NAND来了,速度翻倍面积减半
旺材芯片 | 2021-02-22 05:23:25    阅读:91   发布文章
据《日经新闻》报导,日本内存大厂铠侠(Kioxia)开发162层堆栈 NAND Flash,加入了与美国产业竞争对手美光(Micron)和韩国SK海力士( SK Hynix) 的竞赛。

根据报导指出,铠侠新的 NAND Flash 内存是与美国合作伙伴西部数据(Western Digital)共同开发,基于BiCS 3D NAND技术的第6代产品,写入数据的速度是铠侠当前顶级产品(112 层堆栈)2 倍以上,裸片(die)缩小了40%。此外,新产品的单位比特成本也有所降低,虽然两家供应商没有透露具体降低了多少,但称每个晶圆(wafer)制造比特位比第五代BiCs提升70%。西部数据技术与战略总裁Siva Sivaram列举了第六代产品的特性——可靠性和成本优势。新一代产品引入了“垂直和横向缩放方面的创新,在更小的裸片中以更少层数实现更大的容量”。

与第5代相比,第6代BiCS NAND改善了各种参数:

  • 单元阵列密度提高10%;
  • 通过4-plane操作,程序性能提高了近2.4倍;
  • 读取延迟降低10%;
  • IO提高66%;
  • 162层的数量比第5代增加了44%。

两家公司并没有说裸片是不是通过字符串堆叠的方式实现的,即两个81层叠加。铠侠指出,希望能够借助这些产品,满足数据中心和智能手机相关的需求,因 5G 通信兴起,带来更大且更快数据传输,也造成更大容量的内存需求。但原本该领域的竞争已经加剧,包括美光和 SK Hynix 在铠侠之前就宣布开发出 176 层堆栈 NAND Flash,属于业界第一梯队。此外,英特尔进展到144层,长江存储是128层。随着英特尔卖出NAND部门,英特尔的未来发展将移交给SK海力士。

铠侠的前身是东芝存储器,计划于正进行的国际固态电路大会(ISSCC)上正式宣布推出新款 NAND Flash,并预计最快 2022 年量产。铠侠表示,目前已成功透过新 NAND Flash 每层整合更多存储单元,代表与相同容量的内存相比,可使芯片面积缩小 30% 以上。较小芯片将使智能手机、服务器和其他相关产品架构设计有更大弹性。为了提高 NAND Flash 的产量,铠侠与西部数据计划 2021 年春季,于日本的四日市开始建设 1 兆日圆(约 94.5 亿美元)新工厂扩产,且预定 2022 年生产第一批产品。目前铠侠在日本北部现有 Kitakami 工厂旁正积极收购土地,预计用于扩大产能。


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