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新洁能拟募资14.5亿元,提前布局SiC/GaN功率器件领域
旺材芯片 | 2021-11-14 23:23:06    阅读:33   发布文章
11月11日,无锡新洁能股份有限公司(以下简称“新洁能”)发布2021年度非公开发行A股股****预案公告,拟募集资金14.5亿元,加码第三代半导体功率器件。


据披露,新洁能此次募集资金在扣除发行费用后的募集资金净额全部用于投资第三代半导体SiC/GaN功率器件及封测的研发及产业化项目、功率驱动IC及智能功率模块(IPM)的研发及产业化项目、SiC/IGBT/MOSFET等功率集成模块(含车规级)的研发及产业化项目及补充流动资金。
当前,半导体分立器件产业正在发生深刻的变革,其中新材料成为产业新的发展重心。以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等材料为代表的新材料半导体受到行业关注,被广泛应用于新能源车、轨道交通、5G****、航空航天等领域。
《2020“新基建”风口下第三代半导体应用发展与投资价值白皮书》指出,2019年我国第三代半导体市场规模为94.15亿元,预计2019-2022年将保持85%以上平均增长速度,到2022年市场规模将达到623.42亿元。
而另一方面,目前美欧、日韩及台湾等地区已经实现SiC、GaN等新材料半导体功率器件的量产。国内行业内企业亦依托国家产业政策的重点扶持,也已开始布局新型半导体材料领域。
新洁能表示,通过本募投项目的实施,有助于公司顺应半导体功率器件行业发展趋势,提前布局SiC/GaN宽禁带半导体功率器件产品,实现公司产品结构升级,从而进一步强化公司在半导体功率器件高端应用市场的核心竞争力,缩小与国际半导体功率器件一流企业的技术差距,从而提高国际竞争力。
来源:全球半导体观察


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