以碳化硅等为代表的第三代半导体技术方兴未艾，已经成为未来国家竞争的战略制高点，被业内称为“超级风口”。记者走访调研多家第三代半导体企业了解到，我国在这一领域与国际先进水平差距并不大，但由于产业发展缺乏强有力的统筹，一些地方掀起投资热潮，竞相招商、无序竞争情况严重。

一些受访权威专家和业内人士指出，应在“十四五”相关规划中加强顶层设计，加大核心技术攻关力度，充分利用市场优势建立良性发展的产业格局。

我国有望引领“新赛道”
以碳化硅、氮化镓等宽禁带化合物为代表的第三代半导体技术为5G、毫米波通讯、新能源汽车、光伏发电、航空航天等战略新兴产业提供关键核心器件，成为国家竞争的战略制高点，也是未来国际竞争的关键领域。 中科院院士郝跃等专家认为，我国第三代半导体发展水平与国际先进水平差距不大，如能提前布局，力争在“十四五”期间实现突破，完全可实现弯道超车，不仅不会受制于人，还将大大促进5G等产业发展。 事实上，发展第三代半导体产业，对我国半导体产业整体发展意义重大。相比以硅为材料的传统半导体，第三代半导体可以成为国家集成电路产业发展突破口，集中力量完全有可能在3~5年内形成与国际并跑的态势。北京世纪金光半导体有限公司董事长李百泉说，相比传统硅半导体高达千亿级别的投资，第三代半导体投资强度小，但战略意义大，最有可能实现弯道超车。 我国高度重视半导体产业，第三代半导体有着与国际先进水平并跑起步的特征。第三代半导体有很多优异性能，在汽车、新能源、航空航天等领域应用前景广阔。加快培育和发展第三代半导体产业是推进产业结构升级、加快经济发展方式转变的重大举措，也能提振内需、推动国内国际双循环相互促进。伴随新能源汽车、轨道交通、航空航天、5G通讯等产业蓬勃发展，第三代半导体的国内应用需求有望爆发。
 
第三代半导体面临四大挑战 当前，第三代半导体产业发展处于爆发前夜，但行业内仍存在多个挑战，为高质量发展埋下隐患，甚至可能导致行业发展进入误区，错失历史性机遇。 第一是行业高端产品应用不足。我国自主的第三代半导体产品应用不足，难以形成产业循环。国家新能源汽车技术创新中心相关负责人表示，国内不少第三代半导体的高端应用为进口产品，例如车载芯片中关键的三电控制器、自动驾驶汽车所用的计算芯片、激光雷达等。我国第三代半导体技术水平与国际差距不大，但由于部分应用端“崇洋”心态固化，很难单纯靠市场推动产品应用，亟需政府强有力的引导。 第二是高质量的技术专利不足。从碳化硅产业发展来看，2019年我国专利排名世界第8位，多来自研究所和高校，而美国、日本等国家专利多掌握在企业手中，更易于产业化。国内许多高校申请专利、发文章就结题了，这些专利很难直接转移给企业，导致产业创新能力空心化。 第三是产业无序竞争严重，可能造成严重资源浪费。从省会城市到三四线城市，政府之间相互竞争企业，给土地、资源、配套，几乎变成曾经一哄而上、一哄而下的LED芯片产业了。然而，我国半导体产业的利润率已经比国际水平低很多，各地仍然采用这种方式招商引资，很多企业被盲目追捧，无序发展，乏利可图。 第四是缺少顶层设计。国家高度重视第三代半导体产业发展，但不少红头文件难以落地。产业发展缺乏真正的顶层设计，各环节“各自为战”的现象较为突出。地方政府的追捧最终浪费的是国家资金，如果不进行规范管理，5年内一批企业可能会“头破血流”，5年后大部分地区可能会“横尸遍野”。 各地的招商引资和补贴，会导致低端竞争、产能过剩，资源无法集中到真正具有国际竞争潜力的支柱企业。一个项目支持几千万，十几个单位承担，不仅分散而且极易产生恶性竞争。企业不赚钱就无法投入研发，很容易将产业从高端拖垮到低端。因此，政府支持项目方式要进一步转变，集中资源支持龙头企业，使其尽快强大起来参与国际竞争，避免“撒胡椒面”的方式。 
加强顶层设计，切忌“大炼三代半” 针对上述问题，我国应着力在“十四五”相关规划中加强第三代半导体顶层设计，加大核心技术攻关力度。可考虑将第三代半导体发展作为国家战略，从政策支持、产业布局、发展规划等方面对产业链各环节加强引导和规范，通过财政、税收以及资本市场支持等方式，加大对国产产品的应用鼓励。 北京大学副教授林信南认为，碳化硅是我国必须突破的核心技术之一，亟需以应用需求牵引、龙头企业牵头，通过产业链配合，高校研究所协同，进行全产业链攻关。切忌任由产业和地方“大炼三代半”。目前，全国已建设10多条生产线，有限的人才被挖来挖去，产能过剩问题已初露苗头。 加速制定我国第三代半导体技术标准，发挥市场引领作用。要用好我国广袤市场优势，积极引导国产化产品发展，例如可要求汽车产品国产芯片的应用比例逐渐上升，激活存量市场，拓宽增量市场。 进一步改善产业生态，在新型举国体制下发挥共性平台作用，协同联动产业链上下游，着力推动创新成果产业化。与“两弹一星”不同，半导体产业兼具战略性和商品性，因此，要高度重视科研成果的产业化，特别是支持自主创新成果从技术研究向产品应用转化。 一方面，可以发挥我国电力电网、高速铁路、新能源汽车等产业规模优势，以下游市场应用拉动上游研发制造，开展供需信息衔接、核心技术攻关、关键产品研制、产品集成应用等工作。
另一方面，鼓励财政能力和产业基础较好的地方建设第三代半导体IDM项目集群，推动与下游应用规模化厂商对接，积极导入应用端需求，拓宽自主创新成果的市场推广通道，打通国产半导体全产业链，建立“设计-研发-制程-测评-认证-集成-应用-孵化-标准”良性循环的产业生态。

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