日本政府传将提供资金协助日本企业研发2纳米(nm)以后的次世代半导体的制造技术，且将和中国台湾台积电(2330)等半导体厂商从事广范围意见交换来进行研发。

日经新闻23日报导，Canon等3家日本企业将和产业技术总合研究所(以下简称产总研)合作、携手研发次世代半导体，而日本经济产业省将提供约420亿日圆的资金援助，且将和台积电等海外厂商建构合作体制，期望借此重振日本处于落后的最先进半导体的研发。

据报导，除Canon外，将和产总研合作的企业还有东京威力科创( Tokyo Electron )和SCREEN Semiconductor Solutions，该获得经产省资金援助的研发团队目标在2020年代中期确立2nm以后的次世代半导体的制造技术，将设立测试产线，研发细微电路的加工、洗净等制造技术，且将和台积电、英特尔(Intel)等海外半导体厂商从事广范围的意见交换来进行研发。

台积电于2月9日宣布，将投资约186亿日圆在日本茨城县筑波市设立材料研发中心、扩展3 DIC材料的研究。

台积电赴日研发3D封装芯片

台积电将赴日设立材料研发中心，专家分析，三维芯片重要性与日俱增，尤其与散热密切相关的材料至为关键，而材料是日本产学界强项，台积电先进制程结合日本材料实力，将有助台积电拉大与对手三星的技术差距。

台积电赴日本投资正式拍板定案，董事会早前通过以约1.86亿美元金额在日本茨城县筑波市设立材料研发中心，加强和日本生态系伙伴在三维芯片（3DIC）材料方面开发。

美中摩擦与疫情蔓延，更加确立半导体产业在地缘政治上的战略性地位，市场已多次传出日本频频挥手，希望台积电赴日投资合作发展半导体产业。

事实上，台积电赴日投资材料研发中心，也有不得不然的必要。工研院产科国际所研究总监杨瑞临分析，随着半导体制程微缩技术难度越来越高，即将遭遇瓶颈，加上效能与成本的考量，三维芯片（3DIC）重要性与日俱增，其中与散热密切相关的材料非常关键。

3DIC是指将多颗芯片进行三维空间垂直整合，以因应半导体制程受到电子及材料的物理极限。

台积电在先进封装领域已布局多年，自2016年推出InFO封装技术后，至2019年已发展至第5代整合型扇出层叠封装技术（InFO-PoP）及第2代整合型扇出暨基板封装技术（InFO_oS），并开发第5代CoWoS。

台积电去年还进一步整合InFO与CoWoS等3DIC平台为3D Fabric，并看好相关的先进封装未来业绩成长性将高于公司的平均水准，与高效能运算平台同为台积电营运成长主要动能。

材料向来是日本产学界强项，杨瑞临分析，台积电前往日本设立材料研发中心，以自身领先的先进制程技术结合日本材料的坚强实力，将有助进一步强化先进封装实力，拉大与竞争对手三星（Samsung ）的差距，在半导体制造领域扮演领头羊角色。

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