近日，由北方华创自主研发的12英寸高密度等离子体化学气相沉积（HDPCVD）设备Orion Proxima正式进入客户端验证。这标志着北方华创在绝缘介质填充工艺技术上实现了新的突破，也为北方华创进军12英寸介质薄膜设备领域，打开百亿级市场迈出了坚实的一步。

集成电路领域高速发展，对芯片制造工艺提出了更具挑战的要求，其中就包括如何用绝缘介质在各个薄膜层[1]之间进行均匀无孔的填充，以提供充分有效的隔离保护。为了满足以上需求，HDPCVD设备已经成为介质薄膜沉积工艺的重要设备。

包括浅槽隔离（Shallow-Trench-Isolation，STI），金属前绝缘层（Pre-Metal-Dielectric，PMD），金属层间绝缘层（Inter-Metal-Dielectric，IMD）等。

Orion Proxima作为北方华创推出的国产自研高密度等离子体化学气相沉积设备，主要应用于12英寸集成电路芯片的浅沟槽绝缘介质填充工艺。此款设备通过沉积-刻蚀-沉积的工艺方式可以有效完成对高深宽比沟槽间隔的绝缘介质填充，借助北方华创在刻蚀技术上的积累，发挥其高沉积速率、优异的填孔能力和低温下进行反应得到高致密的介质薄膜的优势，获得多家业内客户关注。

正如北方华创一直秉承“以客户为中心”的企业核心价值观，华创人始终以务实的精神坚持“急客户之所急、想客户之所想”作为技术创新永续驱动力。现阶段，Orion Proxima技术性能在迭代升级中已达业界先进水平：通过灵活可控的软件系统调度优化与自主研发特有传输平台的结合，助力客户实现产能的大幅提升，取得双赢；通过提供不同的硬件配置方案，满足了包括填孔能力、膜层质量、颗粒控制等工艺需求的同时，更实现了对逻辑、存储及其他特色工艺领域客户的全覆盖。

在创新中突破、在专业中精进，Orion Proxima HDPCVD通过优化机台结构，缩小了整机占地面积，节省了客户空间运营成本；通过优化排气管路设计，提高了清洗效率；通过优化开盖方式，缩减了人力维护开支，提高了设备生产效率。

北方华创正基于20余年沉积工艺技术的深厚积累，全面布局多类薄膜产品，致力于为客户提供全面的薄膜产品解决方案。

来源：半导体产业联盟

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