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4月23日，“新能源 芯时代” CIAS2024功率半导体新能源创新发展大会在苏州狮山国际会议中心举行，南瑞半导体公司携多款功率半导体产品精彩亮相。在同期举办的CIAS2024金翎奖颁奖晚宴上，南瑞半导体以首位排名荣获能源电子应用领域最具创新力产品奖。

公司介绍

Company Profile

南京南瑞半导体有限公司成立于2019年，总部位于江苏省南京市，致力于功率半导体技术研究、产品研发、生产制造、市场推广、技术服务等产业化发展，实现能源领域核心功率半导体器件自主可控，保障国家能源安全。公司汇聚了国内外一流的功率半导体研发及管理团队，可提供从芯片 设计、流片工艺开发、封装测试、器件应用到电力电子技术服务的全链条解决方案。产品已广泛应用于高压柔性输电、电能质量治理、特种电源、工 业传动、风力发电、光伏发电、新型储能、制氢电源、充电设施和新能源汽车等领域。同时公司也是国家电网有限公司战略新兴产业培育重点单位、 首批入选国资委“科改示范”企业之一和国网功率半导体产业统一平台。

焦点新闻

News

本次展会，南瑞半导体展出产品涵盖光伏、储能、充电桩、新能源汽车等多个应用场景，包括A3系列1200V/450A I型三电平IGBT模块、1200V/13mΩ SiC MOS芯片、1200V/2mΩ车规级SiC MOS模块。

A3系列IGBT模块作为CIAS金翎奖“最具创新力产品奖”在展会现场获得了观众的高度关注。A3系列1200V/450A I型三电平IGBT模块适用于215kw及以上机型储能变流器、光伏逆变器等应用，在提升产品性能的前提下极大提升储能场景的经济效益，更好满足储能产业不断涌现的新市场需求。产品满足1500V系统需求，满足组串式PCS应用工况条件下额定效率≥98%,最大效率≥99%要求，同时满足结温要求；系统无需器件并联，相当于3只Flow2或者2只Easy3B。模块尺寸仅比Flow2增加60%，仅比Easy3B增加20%，四孔安装，A3安装可靠性比竞品更牢靠，底面与散热器接触更紧密，长期使用更可靠；芯片满足≥16kHz高频开关特性，FRD满额配置；模块总损耗低，满足2倍电流关断能力；封装上采用高导热材料，降低热阻，采用高性能覆铜陶瓷基板，高温可靠性更好、抗热震性优异。提升整体散热能力；功率密度相较同行提升80%以上，拥有更节约的综合使用成本。

（南瑞半导体A3系列模块）

（A3系列模块拓扑）

本次展会中，南瑞半导体还针对纯电或混动汽车、马达驱动等应用场景首次展出了M1、D3封装的1200V 2mΩ车规级SiC MOSFET模块，D2封装的750V/820A车规级IGBT模块。南瑞半导体M1系列采用塑封半桥模块封装，充分发挥SiC MOSFET芯片的高耐温、高频率和高耐压等优势，芯片下方采用有压型银烧结，芯片正面配合 DTS 银烧结+铜线键合、塑封转模等关键技术，实现了更均匀的电流密度分布，更高的功率循环寿命，热容热阻和杂散电感等方面表现更好，相比传统HPD模块的杂散电感高达12 nH，而南瑞半导体M1系列半桥模块仅为3-4 nH，相较之下杂散电感下降了75%左右，可靠性更佳。

产品介绍

Product introduction

(南瑞半导体车规级模块M1)

(车规级模块M1拓扑)

M1系列模块特性：

1. 第三代宽禁带半导体-SiC；

2. 采用单面水冷+塑封工艺，最高工作结温175℃；

3. 高性能 Si3N4 AMB 基板；

4. 杂散电感低，功率密度高，适用高温、高频应用，超低损耗；

5. 集成NTC温度传感器，易于系统集成。

（南瑞半导体车规系列模块D3：NCM02F12D3A )

（车规系列模块D3：NCM02F12D3A拓扑）

D3：NCM02F12D3A产品特性：

1. 第三代宽禁带半导体 - 碳化硅；

2. 低漏-源通态电阻；

3. 低开关损耗；

4. 银烧结工艺。

（南瑞半导体车规系列模块D2：NI820F08D2A)

（车规系列模块D2：NI820F08D2A)

D2：NI820F08D2A产品特性：

1.高密度功率；

2.低饱和压降；

3.低开关损耗；

4.低电感设计。

主营业务

Introduction to Main Business

1.芯片业务

IGBT/FRD芯片设计及供应

（6500V/4500V/3300V/1700V/1200V/750V/650V）

SiC MOSFET/SBD芯片设计及供应

（3300V/1700V/1200V）

2.分立器件业务

IGBT/FRD分立器件设计及供应

(3300V/1700V/1200V/750V/650V)

SiC MOSFET/SBD分立器件设计及供应

(3300V/1700V/1200V)

3.工业级模块业务

工业级IGBT/FRD模块设计及供应

(6500V/4500V/3300V/1700V/1200V/650V)

工业级SiC MOSFET模块设计及供应

(3300V/1700V/1200V)

4.车规级模块业务

车规级IGBT模块设计及供应

(1700V/1200V/750V/650V)

车规级SiC MOSFET模块设计及供应

(1700V/1200V)

5.平台服务

IGBT/FRD/SiC模块封装测试业务

(6500V/4500V/3300V/1700V/1200V/650V)

功率半导体器件检测业务

性能测试、可靠性测试、失效分析测试、应用测试， 可提供产品及器件缺陷分析、专业技术人员培训、 产品标准和方法标准制订等项目服务。

定制化开发

从应用需求及可靠性出发，针对具体场景对产品进行优化设计，功率半导体器件热仿真业务，匹配客户整体方案。

联系方式

周经理：18115130736
沈经理：18068841299

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